第三代半導體是什麼

半導體第三代是指：禁帶寬度大於2.2eV的半導體材料，也稱為寬禁帶半導體材料。半導體產業發展至今經歷了三個階段，第一代半導體材料以硅為代表；第二代半導體材料砷化鎵也已經廣泛應用；而以氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶為代表的第三代半導體材料，相較前兩代產品性能優勢顯著。

如果依然對第三代半導體材料感到陌生，可以抬頭看看家中無處不在的LED(發光二極管)燈。氮化鎵基藍光LED的發明使高效白光LED照明得以實現，引起了人類照明光源的又一次革命。

當然，氮化鎵基藍光LED僅僅只是一個開端，第三代半導體實際上擁有着更大、更廣闊的市場發展空間。

由於第三代半導體具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點，因此在短波發光、激光、探測等光電子器件和高温、高壓、高頻大功率的電子電力器件領域擁有廣闊應用前景。