簡述霍爾電動勢產生的原理

1、霍爾電動勢產生的原理是當一塊半導體薄片置於磁場中有電流流過時，電子將受到洛倫茲力的作用而發生偏轉，在半導體薄片的另外兩端將產生霍爾電動勢。

2、由霍爾效應的原理知，霍爾電勢的大小取決於：Rh為霍爾常數，它與半導體材質有關，IC為霍爾元件的偏置電流，B為磁場強度，d為半導體材料的厚度。對於一個給定的霍爾器件，Vh將完全取決於被測的磁場強度B。

3、一個霍爾元件一般有四個引出端子，其中兩根是霍爾元件的偏置電流IC的輸入端，另兩根是霍爾電壓的輸出端。如果兩輸出端構成外迴路，就會產生霍爾電流。