igbt飽和壓降是什麼

igbt飽和壓降是在門極電壓驅動下，IGBT工作於飽和區（什麼是飽和區請查閲相關資料），IGBT集電極（C）與發射極（E）之間的電壓差；不同的門極電壓對應不同的飽和壓降。

飽和壓降是衡量IGBT是否過流的重要指標，在門極驅動電壓存在的情況下，發生IGBT過流，Vce會急劇上升，一般當Vce大於飽和壓降10微秒(us)左右，IGBT就會損壞。

一般的IGBT驅動保護模塊就是通過監控Vce是否大於飽和壓降，來實現IGBT過流保護的。